3D vertical nand: флеш-память нового поколения

      Комментарии к записи 3D vertical nand: флеш-память нового поколения отключены

3D vertical nand: флеш-память нового поколения

Если сравнивать с присутствующими на рынке изделиями новая память снабжает двукратное повышение скорости надёжности и увеличение записи хранения данных в 2–10 раз.

Компания Samsung заявила о начале массового производства первой в отрасли трёхмерной флеш-памяти 3D Vertical NAND, либо V-NAND. Разработка открывает новые возможности по масштабированию флеш-накопителей, повышению их надёжности и быстродействия хранения информации. Итак, о чём же идёт обращение…

Смотрите кроме этого: Новые модули памяти объединяют DRAM и NAND

Начались поставки изделий ArxCis-NV в виде модулей DIMM, каковые содержат 4 Гб оперативной памяти DRAM и 8 Гб флеш-памяти NAND, изготовленной по разработке одноуровневых ячеек. Viking Technology начала пробные поставки нестандартных модулей памяти ArxCis-NV, рассчитанных на использование в сетевых массивах и серверах хранения данных.Модуль Viking ArxCis-NV (тут и ниже изображения производителя).

Флеш-память 3D Vertical NAND (тут и ниже изображения Samsung).

Архитектура V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали, другими словами формирование 3D-структуры. Один чип в текущем виде может иметь до 24 слоёв.

Samsung поясняет: для связи слоёв используется «проприетарная разработка вертикальных связей». По всей видимости, речь заходит о методике TSV (Through-Silicon Via), сущность которой в формировании в подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что разрешает создавать многоярусные чипы.

В следствии плотность хранения информации существенно возрастает.

Вторая особенность изделий 3D Vertical NAND содержится в применении разработки 3D Charge Trap Flash (CTF), другими словами «памяти с ловушкой заряда».

Принцип работы классической флеш-памяти основан на регистрации и изменении заряда в изолированной области («кармане») полупроводниковой структуры. Но данный процесс сопряжён с накоплением необратимых трансформаций, а потому количество записей для ячейки флеш-памяти ограничено. Одна из обстоятельств деградации — невозможность лично осуществлять контроль заряд плавающего затвора в каждой ячейке.

В CTF-изделиях заряд хранится в особой изолированной области ячейки. Разработка снабжает большое уменьшение электромагнитного шума в кристалле на протяжении передачи данных, что разрешает повысить надёжность хранения информации и применять более «узкие» технологические процессы.

Память 3D Vertical NAND изготавливается по методике 10-нанометрового класса. Ёмкость одного чипа равна 128 Гбит, что делает вероятным выпуск продуктов вместимостью от 128 Гб до 1 ТераБайт. Утверждается, что если сравнивать с присутствующими на рынке изделиями новые флеш-чипы снабжают повышение скорости записи вдвое и увеличение надёжности хранения в 2–10 раз.

Новая память отыщет использование в самых разнообразных устройствах, включая SSD-накопители и встраиваемые флеш-модули для мобильных устройств.

Просматривайте кроме этого о второй перспективной разработке — резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), совмещающей преимущества DRAM и NAND Flash. Микросхемы RRAM способны снабжать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, сохраняя наряду с этим данные при отсутствии питания. Если сравнивать с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бoльшим числом циклов перезаписи.

Подготовлено по данным Samsung.

Создатель: Владимир Парамонов

Интересные записи:

GECID News #150 ➜ новые Intel Pentium Silver и Celeron ▪ AMD Ryzen 2 в феврале-марте 2018


Еще немного статей: