Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) сказал, что следующим лауреатом его респектабельной премии Corporate Innovation Award станет компания Intel. Приз будет вручена за внедрение и разработку в массовое производство инновационных разработок high-k metal gate и tri-gate в процессорах Intel.Corporate Innovation Award была создана IEEE в 1985 году. Она присуждается компаниям либо организациям «за выдающиеся инновационные успехи» в сфере деятельности университета IEEE.
В различное время ее лауреатами становились Apple Computer за выпуск первого массового ПК, Jet Propulsion Laboratory за разработки в области беспилотных космических полетов, Toyota за изобретение гибридной трансмиссии и SanDisk как создатель флеш-памяти.Под катом вы отыщете краткую историю изобретений Intel, удостоившихся высокой приза.
Смотрите кроме этого: LG присудили 21 приз CES 2016 Innovation Awards
Ассоциация потребительских разработок (CTA) присудила компании LG Electronics 21 приз за последние технические новинки, с которыми возможно будет ознакомиться на выставке CES 2016 с 6 по 9 января. LG взяла награды в 10 категориях: бытовая техника, компьютерные и периферийные устройства, компоненты и компьютерные комплектующие, дешёвые разработки, "умный" дом, видео экраны, наушники, носимые разработки, беспроводные аксессуары и беспроводные гарнитуры к гарнитурам.
Из года в год уменьшая технологический процесс производства процессоров, к 2007 году Intel подошла к порогу 45 нм. Потом дело приходилось иметь не только с производственными трудностями но и с препятствиями, которые связаны с физическими особенностями применяемых материалов. Неприятность была в диэлектрике затвора. По мере уменьшения техпроцесса слой диоксида кремния, использовавшегося в качестве изолятора, достиг толщины всего в 5 атомов.
Предстоящее утончение привело бы к утечкам через данный слой, что, со своей стороны, позвало бы увеличение энергопотребления и рост потерь. Встал вопрос, как оправдано предстоящее перемещение вперед. Закон Мура был на грани.О проблеме было известно заблаговременно, ее ответ искалось фаворитами индустрии начиная с середины девяностых.
Первым это удалось Intel, предложившей применять в качестве диэлектрика затвора материал на базе металла гафния — его диэлектрическая проницаемость была выше, чем у диоксида кремния. Разработку назвали high-k, где k — это именно и имеется диэлектрическая проницаемость. Но ответ одной неприятности породило другую.
Железный диэлектрик потребовал принципиально новых электродов затвора; ветхие, сделанные из поликристаллического кремния, тут не годились. Разработка разработки high-k metal gate "настойчиво попросила" немыслимых упрочнений инженеров, а история прорыва была такой увлекательной, что ее изложение вышло в финал журналистской Пулитцеровской премии.Разработка Tri-Gate либо FinFET стала результатом исследовательских работ Intel, направленных на уменьшение утечек в транзисторах.
В классической планарной структуре транзистора электрический ток может протекать лишь по узкой поверхности проводника под затвором. Тогда как в трёхмерных транзисторах ток распространяется в толще кремниевого выступа, «прорезающего» затвор. Результатом для того чтобы конструкторского ответа есть понижение сопротивления транзистора в открытом состоянии, повышение сопротивления в закрытом и более стремительное переключение между этими состояниями.
Вместе с этим произошло уменьшение рабочего и снижение напряжения токов утечки. Как следствие — новый солидный прирост и уровень энергоэффективности производительности в сравнении с существующими аналогами. Различие между классическими и Tri-Gate транзисторами прекрасно видно на рисунке ниже.Премия IEEE — это признание заслуг Intel в ответе непростых неприятностей микроэлектроники.
Само собой разумеется, не нужно думать, что все прорывы уже совершены — в лабораториях Intel и на данный момент ведется работа над разработками завтрашнего дня. Теми, каковые возьмут собственные премии в будущем.
Интересные записи:
NME AWARDS 2016 — NME INNOVATION AWARD
Еще немного статей:
-
Intel ликвидировала подразделение по выпуску «умных часов»
Умных часов Intel больше не будет Intel распустила группу разработчиков, занимавшихся созданием фитнес-трекеров и медицинских носимых электронных…
-
Intel curie — энергоэффективный аппаратный модуль для носимых устройств
Компания Intel представила замыслы по созданию модуля Intel Curie — миниатюрного аппаратного ответа на базе первой однокристальной совокупности Intel…