Предложена разработка изготовления электродов на базе никеля, разрешающая применять резистивную память с произвольным доступом вместе с КМОП-микросхемами.
Компьютерная отрасль всегда сталкивается с возрастающими требованиями к скорости передачи данных и энергопотреблению электронных совокупностей. К примеру, обширно распространённая флеш-память NAND, по оценкам экспертов, достигнет предела собственных возможностей к 2017–2018 годам. На смену ей придут новые типы энергонезависимых устройств хранения данных, о достижениях в разработке которых мы недавно говорили.
Смотрите кроме этого: Как проверить совместимость смартфона с Android Wear
Одной из многих вещей, о которых поведала компания Гугл на конференции Гугл I/O, стала платформа для носимых устройств Android Wear. Первые "умные" часы LG G Watch, Moto 360 и Samsung Gear Live на базе новой ОС были официально продемонстрированы на том же мероприятии, причем LG G Watch и Samsung Gear Live уже доступны для приобретения всем желающим. В это же время большая функциональность часов раскрывается только в паре со смартфоном под управлением Android 4.3, в то время как остальные устройства вряд ли смогут обеспечить полноценный комфорт от применения наручных аппаратов.
Иллюстрация Shutterstock.
Но трудность в том, что для стремительного и максимально действенного перехода на перспективные типы памяти необходимо обеспечить их совместимость с существующими электронными схемами, каковые в большинстве случаев базируются на технологии КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник). И вот исследователи из Университета микроэлектроники при сингапурском Агентстве по науке, исследованиям и технологиям (A*STAR) внесли предложение метод ответа данной неприятности.
Учёные экспериментировали с энергонезависимой резистивной памятью с произвольным доступом (RRAM). Кратко напомним принцип работы таких изделий: диэлектрики, каковые в обычном состоянии имеют высокое сопротивление, по окончании приложения большого напряжения смогут организовать в себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться в проводник. Другими словами материал практически есть управляемым постоянным резистором с двумя либо более переключаемыми уровнями сопротивления.
Изображение Shutterstock.
В микросхемы RRAM-памяти для устранения обоюдного влияния ячеек из-за громадных токов утечки смогут быть добавлены дополнительные выбирающие элементы — диоды либо транзисторы. Но применение диодов порождает проблемы с реализацией микросхем памяти, исходя из этого сингапурцы экспериментируют с RRAM-стеками, совместимыми с КМОП-транзисторами.
Для изготовления опытного образца памяти использовалась трёхслойная структура. Нижний электрод на базе силицида никеля формируется путём нанесения покрытия осаждением из паров. После этого создаётся центральный диэлектрический слой с применением оксида гафния.
Верхний слой является электродом на базе нитрида титана.
Испытания продемонстрировали, что в предложенной структуре возможно скоро и с высокой надёжностью изменять состояние ячеек памяти, применяя низкие рабочие токи. Причём электроды смогут быть организованы на истоке либо стоке КМОП-транзистора. Это теоретически разрешает упростить и ускорить внедрение RRAM-памяти при одновременном понижении энергопотребления.
Результаты работы размещены в издании IEEE Electron Device Letters.
Подготовлено по данным Университета микроэлектроники при сингапурском Агентстве по науке, исследованиям и технологиям.
Создатель: Владимир Парамонов
Интересные записи:
- Mwc 2011: lg optimus pad – первый в мире 8,9-дюймовый планшет с 3d-камерой на android os 3.0 (видео)
- На светлой стороне силы
9 мифов и заблуждений об Оперативной Памяти, о которых пора забыть!
Еще немного статей:
-
5 Фактов о новых продуктах intel
В последних числах Июля Intel отчитался о денежных итогах за 2 квартал. В сегменте продуктов для ПК компании удалось расширить прибыль на 12% в сравнении…
-
Google рассекретила новый android. что в нем нового
Печенье восьмого поколения Гугл официально представила восьмую версию мобильной ОС Android. По традиции, не считая порядкового номера, новое масштабное…