Как улучшить характеристики резистивной памяти

      Комментарии к записи Как улучшить характеристики резистивной памяти отключены

Как улучшить характеристики резистивной памяти

RRAM-чипы, созданные компаниями Micron Technology и Сони, снабжают скорость передачи информации до 1 Гб/с в режиме чтения и до 200 Мб/с при записи.

Эксперты из Micron Technology и Сони отрапортовали об очередных достижениях в разработке энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM, либо ReRAM). По 27-нанометровой технологии созданы 16-гигабитные чипы этого типа. О разработке заявлено на интернациональной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2014, которая несколько дней назад проходила в Сан-Франциско (Калифорния, США).

Смотрите кроме этого: Как улучшить характеристики памяти с изменяемым фазовым состоянием

Ближе к концу десятилетия японские учёные рассчитывают вывести на рынок разработку изготовления PCM-памяти, разрешающую сократить время записи и требующуюся силу тока на 90% при одновременном повышении циклов перезаписи до 100 млн. Имеется пара разработок изготовления энергонезависимой памяти с произвольным доступом, которая в возможности будет альтернативой обширно распространённой флеш-памяти NAND.

Схема ячейки памяти ReRAM (тут и ниже изображения Tech-On!).

Кратко напомним принцип функционирования RRAM. Диэлектрики, каковые в обычном состоянии имеют высокое сопротивление, по окончании приложения высокого напряжения смогут организовать в себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться из диэлектрика в проводник. Другими словами материал практически есть управляемым постоянным резистором с двумя либо более переключаемыми уровнями сопротивления.

Чтение информации происходит посредством приложения к одному финишу резистора некоего низкого напряжения и измерению уровня напряжения на втором финише.

Новые RRAM-чипы вычислены на твердотельные устройства хранения данных.

Представленные RRAM-изделия ёмкостью 16 Гбит совмещают «скорость передачи данных, превышающую показатели флеш-памяти NAND», и ёмкость, характерную для DRAM. Другими словами, по сути, новые чипы объединяют преимущества двух названных типов памяти — высокую пропускную свойство и энергонезависимость.

Характеристики 16-гигабитных изделий RRAM.

В показанных RRAM-чипах задействован DDR-интерфейс; пропускная свойство образовывает 1 Гбит/с. Употребляется архитектура из восьми блоков памяти, подобная DRAM. Показатели скорости удалось улучшить за счёт работы в параллельном режиме и конвейерного тракта данных.

Заявленная скорость передачи информации в режиме чтения достигает 1 Гб/с, в режиме записи — 200 Мб/с. Задержка в записи и режимах чтения образовывает соответственно 2 и 10 мкс.

Прогресс в разработке RRAM.

Ячейки созданной Micron и Сони памяти содержат выбирающий элемент и транзистор с изменяемым сопротивлением. Последний имеет двухслойную структуру из особой плёнки на базе изоляционного материала и теллурида меди. Площадь микрочипов памяти равна 168 мм?.

Ожидается, что новая память отыщет использование в твердотельных устройства хранения данных. О сроках массового производства не сообщается.

Разработкой RRAM кроме этого занимаются научные коллективы и другие компании; в их число входят SanDisk, Toshiba и Crossbar. Кстати, последняя уже создала рабочие образцы массивов ячеек RRAM, применяя оборудование на коммерческом предприятии. Компания собирается лицензировать собственную разработку сторонним производителям.

Ожидается, что продукты на базе резистивной памяти с произвольным доступом покажутся в течение двух–трёх лет.

Подготовлено по данным Tech-On!.

Создатель: Владимир Парамонов

Интересные записи:

13 идей как ускорить работу мозга — Как улучшить память и развить умственные способности


Еще немного статей: