Предложен революционный метод производства полупроводников без подложки

      Комментарии к записи Предложен революционный метод производства полупроводников без подложки отключены

Предложен революционный метод производства полупроводников без подложки

Совсем новая разработка создания самых малых структур в электронике может тысячекратно ускорить их производство и значительно удешевить готовую продукцию.

Вместо того дабы затевать с привычной кремниевой пластины (вафли) либо любых аналогичных субстратов, эксперты под управлением Ларса Самуэльсона (Lars Samuelson) из Университета Лунда (Швеция) создали способ, разрешающий выращивать структуры из вольно суспендированных в газовом потоке наночастиц, не применяя наряду с этим никакого субстрата.

Смотрите кроме этого: Мобильные устройства с эластичными дисплеями покажутся в первой половине 2013 года

Компания Samsung, по данным «осведомлённых сетевых источников», подготавливается к началу массового производства экранов с пластиковой подложкой, способных к деформации. Разработка эластичных экранов Samsung для портативных устройств, по сообщению Wall Street Journal, вступила в финальную стадию.Эластичные дисплеи Samsung (фото ZDNet).Дисплеи Samsung, способные к деформации, выполнены на органических светодиодах (OLED).

Звучит необычно, но главная мысль содержится в том, дабы разрешить наночастицам золота, додаваемым в аэрозоль в качестве катализатора осаждения, самим являться субстратом, на котором и будет происходить рост полупроводников. Детальное описание способа содержится в статье, размещённой в издании Nature, где в частности возможно отыскать сведения о том, как посредством таких параметров, как температура, размер и время золотых наночастичек, возможно осуществлять контроль рост полупроводников.

Аэротаксия, техпроцесс изготовления полупроводников без полупроводниковой подложки (иллюстрация Lund University).

Учёные считают, что, применяя комплект печей, им удастся нужным образом спекать создаваемые нанопровода, приобретая в следствии самые разные варианты полупроводниковых устройств, таких как, к примеру, p-n-диоды. Необходимо также подчеркнуть, что новая разработка разрешает избежать применения дорогостоящих полупроводящих вафель (подложек) и наряду с этим возможно постоянной, другими словами экстремально стремительной, в особенности в сравнении с привычным подходом.

на данный момент авторы разработки заняты созданием надёжной методики захвата нанопроводов, и думают над тем, дабы сделать их самособирающимися на заданной поверхности — это возможно стекло, сталь либо каждый требуемый материал.

Полупроводниковые структуры (из элементов III–V групп), о которых идёт обращение, довольно часто именуются нанопроводами (либо наностержнями). Это база солнечных светоизлучающих диодов и ячеек. В большинстве случаев их изготавливают при помощи эпитаксии, но данный подход не снабжает получения нанопроводов с совершенной кристалличностью, с контролируемым и воспроизводимым размером и составом, да ещё и по низкой цене, столь желанной для массового производства.

Вот из-за чего шведы и занялись собственным способом, основанным на применении аэрозоля. Разработку, кстати, назвали аэротаксией.

Итак, подытожим. Каталитические аэрозольные наночастицы золота намерено подобранного размера индуцируют нуклеацию и рост нанопроводов арсенида галлия (GaAs) со скоростью около 1 мкм/с, что в 20–1 000 раз стремительнее, чем при эпитаксии, которая опирается на применение субстрата для выращивания нанопроводов из элементов III–V групп.

Подготовлено по данным Университета Лунда.

Создатель: Роман Иванов

Интересные записи:

Производство без фанерной подложки


Еще немного статей: