Разработан метод наноразмерной визуализации напряжений в кристаллических решётках эпитаксиальных плёнок

      Комментарии к записи Разработан метод наноразмерной визуализации напряжений в кристаллических решётках эпитаксиальных плёнок отключены

Разработан метод наноразмерной визуализации напряжений в кристаллических решётках эпитаксиальных плёнок

Американские учёные приспособили способ птихографии с целью проведения неразрушающего дифракционного анализа наноразмерных изюминок кристаллического строения настоящих материалов, взяв возможность изучать распределение напряжений в кристаллической решётке.

Смотрите кроме этого: Clear-Coat для LG Гугл Nexus 4, Samsung Galaxy Camera, HTC 8X и HTC Butterfly

Наборы защитных пленок Clear-Coat доступны для смартфонов LG Гугл Nexus 4, HTC 8X и HTC Butterfly, и для Samsung Galaxy Camera.Пленки Clear-Coat выполнены лично для каждого устройства с учетом всех изюминок корпуса — эта особенность выгодно отличает их от пленок вторых производителей. В зависимости от комплектации, имеется возможность защиты как всего корпуса, так и лишь экрана (для некоторых моделей имеется элементы и на боковые стороны). Пленка Clear-Coat при толщине всего 0,2 мм.

Изначально способ птихографии («птихо» — «складной» с греческого) был создан для увеличения разрешающей свойстве просвечивающего электронного микроскопа (см. прошлогоднюю публикацию в Nature Communications). Для этого было решено отказаться от применения объектива, представляющего собой при электронного микроскопа комплект магнитных линз, каковые, согласно точки зрения создателей, и являются главной причиной понижения разрешающей свойстве способа.

Вместо этого в новом приборе изображение формируется благодаря компьютерной реконструкции рассеянных электронных волн, прошедших через пример. Иными словами, в базе его работы лежит определение фазы рассеянной электронной волны для идентификации расположения атома в примере, от которого она и пришла. В следствии создателям птихографического способа удалось добиться большого увеличения разрешающей свойстве электронного микроскопа — в пять с лишним раз.

Более того, имеется вывод, что предстоящее развитие данной технологии разрешит достигнуть разрешения в 1/10 диаметра атома.

Ну а новый дифракционный способ, созданный в Аргоннской национальной лаборатории и IBM посредством адаптации птихографии для случая когерентного нанофокусированного твёрдого рентгеновского излучения, разрешает визуализировать (в терминах дифракции рентгеновских лучей) поля напряжённости кристаллической решётки эпитаксиальных плёнок в невозмущённых граничных условиях.

Разглядываемая работа, опирающаяся как на внутренние размерные эффекты (intrinsic size effects), так и на внешние граничные условия, делает действительностью неразрушающие изучения структурных изюминок материалов в нанометровом масштабе, в то время, когда проведение теоретических практических измерений и расчётов, и установление контроля над появляющимися напряжениями есть очень тяжёлой задачей.

схема эксперимента и Прототип устройства (иллюстрация ACS).

Нанофокусированная рентгеновская птихография брэгговских отражений снабжает действенную визуализацию искажений кристаллической решётки в узких плёнках без разрушения исследуемого примера. А применение когерентного нанофокусированного пучка твёрдых рентгеновских лучей разрешает достигать разрешений, меньших 20 нм.

В качестве практического примера исследователи выстроили профиль напряжений в кристаллической структуре эпитаксиальной плёнки SiGe на SOI-подложке (кремний на изоляторе), являющейся источником стресса (ввиду хорошего от SiGe значения параметра кристаллической решётки).

Подробнее о основах нового и результатах эксперимента способа рассказывается в издании Nano Letters.

Подготовлено по данным Аргоннской национальной лаборатории.

Создатель: Роман Иванов

Интересные записи:

Искусство Визуализации. Реальность здесь.


Еще немного статей: