Ddr3 против ddr4. теоретические различия

      Комментарии к записи Ddr3 против ddr4. теоретические различия отключены

Ddr3 против ddr4. теоретические различия

Различия между поколениями оперативной памяти неизменно достаточно значительны. Прошлогодний выход в люди стандарта DDR4 сделал серверный сегмент и high-performance desktop пара выходящими из неспециализированного последовательности. Недавний анонс серверным процессоров Intel Atom потянул за собой SO-DIMM DDR4. Все готово для массовой атаки на рынок, а не просто дебюта.

Поизучаем мало теории, освежим знания? Под катом главные различия между DDR3 и DDR4.
Смотрите кроме этого: Что необходимо знать о DDR4 ОЗУ?

Это перевод публикации «Tech Primer: What you need to know about DDR4 memory».Компьютерные разработки быстро развиваются, заменяются новыми спецификациями и параметрами, но оперативная память располагает преимуществом во времени. DDR SDRAM был запущен в 2000 году и прошло три года, перед приходом в 2003 году DDR2 SDRAM. Время DDR2 длилось четыре года, в 2007 году её заменила DDR3 SDRAM.

С того времени она уже семь лет без трансформаций, но запуск DDR4 совершился.Что нового в DDR4?Снаружи, DDR4 такой же ширины, как и DDR3, но мало выше приблизительно на 9 мм.

Физические различия.Очевидно, физически планки памяти DDR3 и DDR4 несовместимы. Вместо 240 пин у “третьего” — “четвертый” владеет 288 контактами. Повышение числа контактов сделано для возможности адресации как возможно большего количества памяти. В самом большом варианте модуль памяти стандарта DDR4 может иметь количество 512 гигабайт. Минимальный количество модуля — 2 гигабайта.Ключ разъема смещен ближе к центру.

Защита от невнимательных пользователей трудится, защита от невнимательных, но весьма сильных пользователей — не существует.Высота референсной планки — 31,25 мм — это чуть выше чем у предшественника (30 мм). Протяженность планки прошлая — 133,35 мм (напомните мне, сколько это в дюймах?), данный параметр не изменялся с момента появления первого поколения оперативной памяти DDR.Электрические различия.Вместо штатного напряжения питания 1,5В (1,35В для Haswell) предлагается стандартное напряжение 1,2В (1,05В для энергоэффективных совокупностей).

Преимущества очевидны: меньше нагрев, меньше энергопотребление, в будущем: больше время независимой работы.Частотные различия.В случае если стандарты DDR3 начинаются с частоты 1066 МГц, то DDR4 стартует с отметки в 2133 МГц. Формально — повышение частоты вдвое, а вот реально производительность не растет вдвое.

Уже официально выпущены модули DDR4 с частотой 3000 МГц и имеется кроме того более высокие показатели, но все они ориентированы на энтузиастов и оверклокеров.Архитектурные различия.Самое ответственное, что случилось при переходе — изменение архитектуры доступа к модулям. Раньше шина Multi-Drop имела всего два канала а также при организации работы с четырьмя модулями памяти, они висели попарно на одном канале, что не всегда положительно сказывалось на производительности.Новая шина с уникальным наименование Point-to-Point будет связывать любой канал с одним модулем памяти.

Другими словами при наличии в процессоре двухканального контроллера памяти — будут дешёвы два слота, а при наличии четырехканального — четыре. Вы сообщите мне, а как же платы с 8 слотами под память? Для них используются цифровые коммутаторы — подобные по смыслу, тем, что разветвляют линии PCI Express. Так, оперативная память переходит на применение параллельного доступа.Еще один принципиальный момент — изменение в организации чипов памяти.

При равном количестве чип DDR4 будет иметь вдвое больше банков строки и памяти памяти в четыре раза меньше. Это показывает, что новый стандарт будет переключаться между банками намного стремительнее, чем DDR3.Кратко, это все главные различия между двумя поколениями оперативной памяти DDR3 и DDR4, как это отражается на практике? Имеется ли ощутимые различия в производительности — будем выяснять в следующих постах. Оставайтесь с нами.Отечественные прошлые посты:

  • Обзор двух карт памяти громадной емкости: microSDXC 128 Gb и SDXC 256 Gb
  • Обзор SSD-диска Kingston SM2280S3/120G
  • Экскурсия по заводу в Китае
  • Обзор беспроводного кард-ридера Kingston MobileLite Wireless G2

Интересные записи:

Влияет ли частота оперативной памяти на скорость в играх #2 | DDR3 vs DDR4


Еще немного статей:

  • Lg g5. за и против

    Андрей Москалец http://keddr.com/ Не прошло и семь дней с анонса нового флагмана от LG. И, казалось бы, о минусах модели делать выводы еще весьма рано….

  • За и против покупки планшета

    Вы продержались пара месяцев, ожидая и замечая рынок с вопросом: “Будет ли планшет, что мне понравится?”. Но, быть может, вы задаете себе неверный…